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NCV8405, NCV8405A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.2
1.1
1.1
1
I D = 150 m A
V GS = V DS
1
0.9
0.8
? 40 ° C
25 ° C
100 ° C
0.9
0.7
0.8
0.7
0.6
0.5
150 ° C
0.6
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.4
1
2
3
4
5
6
7
V GS = 0 V
8 9
10
200
T ( ° C)
Figure 14. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature
1.500
I S (A)
Figure 15. Body ? Diode Forward
Characteristics
150
100
t r
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
R G = 0 W
t d(off)
1.000
0.500
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
R G = 0 W
? dV DS /d t(on)
50
t d(on)
t f
dV DS /d t(off)
0
3
4
5
6 7
8
9
10
0.000
3
4
5
6 7
8
9
10
125
V GS (V)
Figure 16. Resistive Load Switching Time vs.
Gate ? Source Voltage
1.5
V GS (V)
Figure 17. Resistive Load Switching
Drain ? Source Voltage Slope vs. Gate ? Source
Voltage
100
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
1.3
1.1
? dV DS /d t(on) , V GS = 10 V
t d(off) , (V GS = 10 V)
t r , (V GS = 5 V)
t f , (V GS = 10 V)
d(on) , (V GS = 10 V) t , (V
25 t t d(on) , (V GS = 5 V)
75
50
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
t f , (V GS = 5 V)
r GS = 10 V)
t d(off) , (V GS = 5 V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
? 0.1
0
dV DS /d t(off) , V GS = 5 V   dV DS /d t(off) , V GS = 10 V
? dV DS /d t(on) , V GS = 5 V
500 1000 1500
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
200
R G ( W )
Figure 18. Resistive Load Switching Time vs.
Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G ( W )
Figure 19. Drain ? Source Voltage Slope during
Turn On and Turn Off vs. Gate Resistance
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